Описание и характеристики GIGABYTE NVMe 1TB GP-GSM2NE3100TNTD
Бренд
GIGABYTE
Объём
1 ТБ
Скорость последовательного чтения
2500 МБайт/с
Скорость последовательной записи
2100 МБайт/с
Общая информация
- Дата выхода на рынок: 2019 г.
Основные
- Объём: 1 ТБ
- Форм-фактор: M.2
- Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3)
- Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Технические характеристики
- Аппаратное шифрование: Нет
- Скорость последовательного чтения: 2 500 МБ/с
- Скорость последовательной записи: 2 100 МБ/с
- Средняя скорость случайного чтения: 295 000 IOps
- Средняя скорость случайной записи: 430 000 IOps
- Энергопотребление (чтение/запись): 3.5 Вт (макс.)
- Энергопотребление (ожидание): 0.0021 Вт
- Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч
- Ресурс записи: 1600 TBW
- Размеры устройств M.2: 2280
- Толщина: 2.3 мм
- Охлаждение: Нет
Гарантия: 12 месяцев
Адрес производителя: Гигабайт Технолоджи Компани, ЛТД. Тайвань, № 6, Бао Чанг Роуд, Синь-Тянь, Нью Тайбэй 231. Тайвань.
Адрес производства: Гигабайт Технолоджи Компани, ЛТД. Тайвань, № 6, Бао Чанг Роуд, Синь-Тянь, Нью Тайбэй 231. Тайвань.
Импортер: ЧТУП Неолинк, 220073, г. Минск, пр. Пушкина, д. 52, пом. 1, РБ.
Сервисный центр: ООО Дигобел, 220062, г. Минск, пр-т. Победителей, д. 131, пом. 70/4