Описание и характеристики GIGABYTE NVMe 1TB GP-GSM2NE3100TNTD

Бренд
GIGABYTE
Объём
1 ТБ
Скорость последовательного чтения
2500 МБайт/с
Скорость последовательной записи
2100 МБайт/с

Общая информация

  • Дата выхода на рынок: 2019 г.

Основные

  • Объём: 1 ТБ
  • Форм-фактор: M.2
  • Интерфейс: PCI Express 3.0 x4  (NVMe 1.3)
  • Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND

Технические характеристики

  • Аппаратное шифрование: Нет
  • Скорость последовательного чтения: 2 500 МБ/с
  • Скорость последовательной записи: 2 100 МБ/с
  • Средняя скорость случайного чтения: 295 000 IOps
  • Средняя скорость случайной записи: 430 000 IOps
  • Энергопотребление (чтение/запись): 3.5 Вт  (макс.)
  • Энергопотребление (ожидание): 0.0021 Вт
  • Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч
  • Ресурс записи: 1600 TBW
  • Размеры устройств M.2: 2280
  • Толщина: 2.3 мм
  • Охлаждение: Нет
  • Гарантия: 12 месяцев
    Адрес производителя: Гигабайт Технолоджи Компани, ЛТД. Тайвань, № 6, Бао Чанг Роуд, Синь-Тянь, Нью Тайбэй 231. Тайвань.
    Адрес производства: Гигабайт Технолоджи Компани, ЛТД. Тайвань, № 6, Бао Чанг Роуд, Синь-Тянь, Нью Тайбэй 231. Тайвань.
    Импортер: ЧТУП Неолинк, 220073, г. Минск, пр. Пушкина, д. 52, пом. 1, РБ.
    Сервисный центр: ООО Дигобел, 220062, г. Минск, пр-т. Победителей, д. 131, пом. 70/4